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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11100| Título : | Preparación de Cristales Semiconductores para Dispositivos Sensibles al Infrarrojo |
| Palabras clave : | Cristales semiconductores |
| Fecha de publicación : | 16-ene-2013 |
| Editorial : | Instituto Politecnico Nacional |
| Descripción : | La detección de contaminantes atmosféricos generados de la combustión de combustibles fósiles como los hidrocarburos aromáticos policíclicos (PAH’s) es importante porque algunos de sus componentes son altamente cancerígenos. Los PAH’s son gases con grupos funcionales que contienen anillos aromáticos que absorben radiación en la región infrarroja (IR), alrededor de 3 μ. En este trabajo mostramos el proceso de preparación de películas cristalinas semiconductoras de la aleación semiconductora InAsSb crecidas sobre GaSb. Con la composición adecuada estas película puede absorber luz en el rango de 0.8 a 4.3 μ; lo que nos permitirá desarrollar un detector semiconductor de IR y a partir del examen de un espectro de absorción identificar los PAH’s. Las películas fueron crecidas por la técnica de epitaxia en fase líquida (LPE) a una temperatura alrededor de 570 °C Para caracterizar sus propiedades ópticas, estructurales y la calidad de la interfase entre la película y el substrato se emplearon las técnicas de espectroscopía de difracción de rayos X, y Raman, microscopía electrónica de barrido (SEM) así como fotoacústica (PA). Articulo en extenso de memoria de Simposio Instituto Politecnico Nacional, CONACYT |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11100 |
| Otros identificadores : | 978-607-414-180-1 http://hdl.handle.net/123456789/609 |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado |
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