Buscar por Materia MOCVD Ha ll Effect SIMS Raman scactering 111-V semiconductor growth GaAs
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Vista previa | Fecha de publicación | Título | Autor(es) |
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27-nov-2012 | Characterization of AlxGa1_xAs layers grown on (100) GaAs by Inetallic-arsenic-based-MOCVD | Diaz Reyes, Joel |