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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorSantana, Miguel-
dc.creatorLuyo, Javier-
dc.creatorMelendez, Miguel-
dc.creatorZapata, Martin-
dc.creatorZapata, Alvaro-
dc.creatorJimenez, Sergio-
dc.creatorCastro, Roman-
dc.creatorPena, Juan Luis-
dc.date2012-03-16T01:59:19Z-
dc.date2012-03-16T01:59:19Z-
dc.date2009-
dc.date.accessioned2013-01-16T08:57:07Z-
dc.date.available2013-01-16T08:57:07Z-
dc.date.issued2013-01-16-
dc.identifierSuperficies y Vacio. Vol. 8, pag. 69-72 (1999).-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/123456789/152-
dc.identifier.urihttp://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10670-
dc.descriptionCONACYT-
dc.languagees-
dc.publisherSociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Materiales-
dc.subjectCdTeIn-
dc.subjectRaman-
dc.titleElectronic properties of (CdTe)1-x(In2Te3)x growth by closed space vapor transport combined with free evaporation-
dc.typeArticle-
Aparece en las colecciones: Doctorado

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