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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorBravo-Garcia, Y. E.-
dc.creatorZapata Torres, A.-
dc.creatorMendoza-Alvarez, J.-
dc.date2012-03-27T19:27:11Z-
dc.date2012-03-27T19:27:11Z-
dc.date2008-12-
dc.date.accessioned2013-01-16T12:30:30Z-
dc.date.available2013-01-16T12:30:30Z-
dc.date.issued2013-01-16-
dc.identifier978-07-414-022-4-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/123456789/600-
dc.identifier.urihttp://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11091-
dc.descriptionEn este primer periodo se encontraron las condiciones experimentales para obtener por la técnica de crecimiento de Epitaxia en Fase Liquida (EFL) películas semiconductoras de InAs1-x Sbx sobre sustratos de GaSb a una temperatura de 496 °C. usando la misma concentración liquida de arsénico. Se estudio la influencia que el grado de supersaturación ΔΤ ejerce sobre las características del crecimiento. Con espectroscopia de Rayos X de alta resolución se midió la separación atómica de la película y del sustrato. Encontramos que existe la tendencia por parte de la solución liquida de In-As-Sb de disolver el sustrato de GaSb. Para evitar la disolución, experimentamos diversos crecimientos aumentando el grado de supersaturación a valores entre 10 a 30 °C, Obtuvimos valores para el parámetro de acoplamiento Δa/a entre película y sustrato mayores que 2.9 x10-3. Observamos que la disolución solo disminuye cuando Δa/a es positivo.-
dc.descriptionArticulo en extenso en memoria de simposio-
dc.descriptionInstituto Politecnico Nacional. UASLP-
dc.languagees-
dc.publisherInstituto Politecnico Nacional-
dc.subjectpeliculas semiconductoras-
dc.titleCrecimiento y Caracterización Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicaciones en el Infrarrojo-
dc.typeArticle-
Aparece en las colecciones: Doctorado

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