Crecimiento y Caracterización Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo

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Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.creator	Bravo-Garcia, Y. E.	-
dc.creator	Mendoza-Alvarez, J.	-
dc.creator	Zapata-Torres, M.	-
dc.date	2012-03-29T01:13:50Z	-
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dc.date	2009-06	-
dc.date.accessioned	2013-01-16T15:56:24Z	-
dc.date.available	2013-01-16T15:56:24Z	-
dc.date.issued	2013-01-16	-
dc.identifier	978-607-414-131-3	-
dc.identifier	http://hdl.handle.net/123456789/1052	-
dc.identifier.uri	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11508	-
dc.description	n este periodo modificamos las condiciones de crecimiento de las películas del compuesto ternario InAs1-x Sbx sobre sustratos de GaSb para tener una mayor reproducibilidad en la fabricación de las películas semiconductoras, obtener interfases planas y mejorar el parámetro de acoplamiento	-
dc.description	Articulo en extenso en memoria de simposio	-
dc.description	Instituto Politecnico Nacional. CONACYT	-
dc.language	es	-
dc.publisher	Instituto Politecnico Nacional	-
dc.subject	peliculas delgadas	-
dc.title	Crecimiento y Caracterización Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo	-
dc.type	Article	-
Aparece en las colecciones:	Doctorado

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