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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11178| Título : | Modelo teórico para la caracterización fotoacustica de semiconductores |
| Palabras clave : | caracterizacion fotoacustica semiconductores |
| Fecha de publicación : | 16-ene-2013 |
| Editorial : | Instituto Politecnico Nacional |
| Descripción : | Es conocido que la técnica fotoacústica (FA) permite la
medición de propiedades de transporte en semiconductores
[1]. En este trabajo describimos el proceso de creación y
recombinación de portadores minoritarios en el sistema
CdS/CdTe, que contribuyen a la generación de la señal FA.
Se hace el planteamiento del sistema de ecuaciones y se
muestran los resultados de mediciones preliminares. Articulo en extenso en memoria de simposio Instituto Politecnico Nacional. |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11178 |
| Otros identificadores : | 978-607-414-022-4 http://hdl.handle.net/123456789/690 |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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