Raman scattering from fully strained Ge1 -xSnx (x 0.22) alloys grown on Ge(001) 2 x 1  by  low-temperature molecular beam epitaxy

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8555

Registro completo de metadatos

Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.contributor.author	ROJAS LÓPEZ, MARLON	-
dc.date.accessioned	2012-11-26T21:17:16Z	-
dc.date.available	2012-11-26T21:17:16Z	-
dc.date.issued	2012-11-26	-
dc.identifier.uri	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8555	-
dc.description	Article	es
dc.description.abstract	Raman scattering from fully strained Ge1 -xSnx (x 0.22) alloys grown on Ge(001) 2 x 1 by low-temperature molecular beam epitaxy	es
dc.description.sponsorship	Instituto Politécnico Nacional CIBA-Tlaxcala	es
dc.language.iso	en	es
dc.subject	Ge1 -xSnx	es
dc.title	Raman scattering from fully strained Ge1 -xSnx (x 0.22) alloys grown on Ge(001) 2 x 1 by low-temperature molecular beam epitaxy	es
dc.type	Article	es
dc.description.especialidad	Medico-Biológicas	es
dc.description.tipo	PDF	es
Aparece en las colecciones:	Artículos

Ficheros en este ítem:

Fichero	Descripción	Tamaño	Formato
1998_Journal of Applied Physics_GeSn.pdf		116.03 kB	Adobe PDF	Visualizar/Abrir

El Instituto Politécnico Nacional