El Instituto Politécnico Nacional
Contribuye al desarrollo económico y social de la nación, a través de la formación integral de personas competentes; de la investigación, el desarrollo tecnológico y la innovación. Además tiene reconocimiento internacional por su calidad e impacto social.
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8555| Título : | Raman scattering from fully strained Ge1 -xSnx (x 0.22) alloys grown on Ge(001) 2 x 1 by low-temperature molecular beam epitaxy |
| Autor : | ROJAS LÓPEZ, MARLON |
| Palabras clave : | Ge1 -xSnx |
| Fecha de publicación : | 26-nov-2012 |
| Resumen : | Raman scattering from fully strained Ge1 -xSnx (x 0.22) alloys grown on Ge(001) 2 x 1 by low-temperature molecular beam epitaxy |
| Descripción : | Article |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8555 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| 1998_Journal of Applied Physics_GeSn.pdf | 116.03 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.