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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8602| Título : | Structural characterization by HRXRD and Raman scattering of AlxGa1_ xSb/GaSb heterostructure |
| Autor : | Diaz Reyes, Joel |
| Palabras clave : | Ternary alloy; Liquid phase epitaxy; X-ray diffraction; Raman Scattering; A!GaSb; |
| Fecha de publicación : | 27-nov-2012 |
| Resumen : | - High resolution X-ray diffraction profiles were obtained from Al,Ga 1 .,Sb layers grown on (00 l) GaSb substrates by Liquid Phase Epitaxy (LPE). The out of plane lattice parameter was estimated directly from the asymmetrical diffractions (115) and (-1-15) alloy. These results show that some of the layers are more strained than others. The out of plane lattice parameter as a function of AI content is higher than the corresponding bulk lattice parameter of Al,Ga 1 _,Sb layers obtained with Vegard's law. Two peaks are observed in their Raman spectra over this composition range. The assignment of the observed modes to GaSb-like ts discussed. |
| Descripción : | article |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8602 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
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